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TI integrierte Schaltung
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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UNR9110J0L |
Trans Prebias PNP 125 MW SSMINI3
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MRFX1K80HR5 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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UNR51ANG0L |
Trans Prebias PNP 150 MW SMINI3
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BLC10G19XS-600AVTZ |
BLC10G19XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
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FJN3306RBU |
Trans Prebias NPN 300 MW TO92-3
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BLS7G2730L-200PU |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT323
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Die Ausrüstung ist aus einem Rohstoff bestehend, der für die Verarbeitung von Rohstoffen verwendet wird. |
IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2
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DTA114WUAT106 |
Trans Prebias PNP 200 MW UMT3
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PTFA091201HL V1 |
IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2
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DTA144VKAT146 |
Trans Prebias PNP 200 MW SMT3
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
FET RF 65V 2,14 GHz H36260-2
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
Trans Prebias NPN 202MW SC70-3
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BLF0910H6LS500U |
Rf FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751
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NSBA143TF3T5G |
Trans Prebias PNP 50V SOT1123
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BF992,215 |
DOPPELtor 20V SOT143B MOSFET NCH
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Trans Prebias NPN 200 MW SOT23-3
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MRF9060NR1 |
FET RF 65V 945MHZ TO270-2
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RN1310 ((TE85L,F) |
NPN 50V 0,1A USM
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BLA6H0912L-1000U |
Rf FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
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FJX3013RTF |
Trans Prebias NPN 200 MW SOT323
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GTVA262711FA-V2-R2 |
GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ
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BCR 139T E6327 |
Trans Prebias NPN 250 MW SC75
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ATF-53189-BLK |
IC PHEMT 2 GHz 4V 135MA SOT-89
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PDTC143ZM,315 |
Trans Prebias NPN 50V DFN1006-3
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MRF166C |
Fet-RF 65V 500MHZ 319-07
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BLF6G15L-40BRN,112 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen treffen: |
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
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PTFA180701FV4R250XTMA1 |
IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2
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BLF6G38S-25.112 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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PTFA181001GL V1 R250 |
IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
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BLM9D2327-25BZ |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage nicht in Betrieb genommen.
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BCR 148 B6327 |
Trans Prebias NPN 200 MW SOT23-3
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NE5520379A-T1A-A |
FET RF 15V 915MHZ 79A-PKG
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UNR521K00L |
Trans Prebias NPN 150 MW SMINI3
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BLF573S, 112 |
Rf FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
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RN1113CT(TPL3) |
Trans Prebias NPN 20V 0,05A CST3
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A2I20H060NR1 |
IC-TRANSPORT-RF LDMOS
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Trans Prebias NPN 200 MW SOT323
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BLF884P,112 |
Rf FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A
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DTA123JCA |
Transistoren - Bipolar (BJT) - Si
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MRF8HP21130HR3 |
Fet-RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4
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RN1110, LXHF(CT |
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR = 4,7K
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ON5230,127 |
MOSFET-RF SOT226 I2PAK
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PDTA123YT,215 |
Trans Prebias PNP 50V bis 236AB
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MRF7S19100NR1 |
FET RF 65V 1,99 GHz TO270-4
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BLP05H6250XRY |
Rf FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
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DRC9114Y0L |
Trans Prebias NPN 125 MW SSMINI3
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NTE2417 |
T-PNP SI mit 22K RES
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Bei der Verwendung von BLF8G27LS-150VU |
Rf FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
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