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TI integrierte Schaltung
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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RN1307, LF |
NPN 50V 0,1A USM
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BF904R,235 |
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
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RN1410, LXHF |
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4,7K, VCEO=
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PTVA120251EA-V2-R0 |
IC AMP RF LDMOS H-36265-2
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Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 erfasst. |
Trans Prebias NPN 150 MW SOT523
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Die Bezeichnung der Beförderungsstelle ist: |
JFET N-CH 30V 15MA SOT23
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RN2402, LXHF |
Auto AEC-Q Single PNP Q1BSR = 10K,
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PD55003STR-E |
Fet-RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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Die Bezeichnung des Erzeugnisses ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 zu finden. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
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MRFX1K80GNR5 |
600 MHz 1,8 kW OM1230G-4L
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UNR911AG0L |
Trans Prebias PNP 125 MW SSMINI3
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Produkte. |
FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S
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RN2101MFV,L3XHF(CT |
AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER
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MRF5S4140HSR5 |
FET RF 65V 465MHZ NI-780S
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PDTA115EM,315 |
Trans Prebias PNP 250 MW SOT883
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PTVA030121EAV1XWSA1 |
IC AMP RF LDMOS
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UNR511100L |
Trans Prebias PNP 150 MW SMINI3
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BLP10H605Z |
Rf FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
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DTC115TETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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MRF7S21150HSR3 |
FET RF 65V 2,17 GHz NI-780S
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DTB123ECT116 |
PNP -500MA/-50V digitaler Transistor
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3SK292 (TE85R, F) |
MOSFET N-CH 12,5 30MA SMQ
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PDTA143XM,315 |
Trans Prebias PNP 250 MW SOT883
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BLF888 und112 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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DTC113ZCA |
SOT-23 NPN 0.2W 0.1A Transistor
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BLF8G27LS-100V,112 |
MOSFET LDMOS 28V CDFM6
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FJV4101RMTF |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
FET RF 110V 860MHZ TO270-4
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
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Die Angabe der Angabe des Zulassungsdatums ist in der Angabe des Zulassungsdatums anzugeben. |
FET RF 15V 3,55 GHz 1,5PLD
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PDTA144VU,115 |
Trans Prebias PNP 50V SOT323
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BLC8G09XS-400AVTZ |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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DTD143ECT116 |
NPN 500MA / 50V digitaler Transistor
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CLF1G0035S-50,112 |
Rf FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B
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DDTA143EE-7-F |
Trans Prebias PNP 150 MW SOT523
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BLS6G3135-120,112 |
Wird die Leistung von LDMOS 60V 11DB SOT502A übertragen?
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RN1101, LXHF(CT |
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR = 4,7K
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BLF7G24L-140,112 |
Rf FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
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PDTB123EUX |
Trans Prebias PNP 0,425 W
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
FET RF 2CH 40V 520MHZ zu 270-4
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PDTB123ET,215 |
Trans Prebias PNP 50V bis 236AB
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BLF145.112 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungs
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Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I zu entnehmen. |
Trans Prebias NPN 150 MW SOT523
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BLP15M9S70Z |
BLP15M9S70/SOT1482/REELDP
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RN1109, LF(CT |
Trans Prebias NPN 50V 0,1A SSM
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BLF6G15LS-40RN,112 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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DRC3143Z0L |
NPN 100 MW SSSMINI3
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MRF6S19100HSR5 |
FET RF 68V 1,99 GHz NI-780S
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
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1214GN-400LV |
Trans, GAN, 1200-1400 MHz, 400 Watt,
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