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TI integrierte Schaltung
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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BLM7G1822S-80PBGY |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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DTB114GCHZGT116 |
DTB114GCHZG ist die höchste Zuverlässigkeit
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BLF8G10LS-160,118 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT323
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CGHV40200PP |
RF MOSFET HEMT 440199
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht. |
Trans Prebias PNP 50V SC70-3
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MRF5S21090HSR5 |
FET RF 65V 2,11 GHz NI-780S
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Die Ausrüstung ist in der Form eines Zylinders. |
Trans Prebias PNP 50V 100MA SC59
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BCR 129F E6327 |
Trans Prebias NPN 250 MW TSFP-3
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PDTA123JMB,315 |
Trans Prebias PNP 50V DFN1006B-3
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BLF7G20L-200,118 |
Rf FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
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DTA143ZCAHE3-TP |
DIGITAL TRANSISTOR PNP 50V 0,1A
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PDTA124XMB,315 |
Trans Prebias PNP 50V DFN1006B-3
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RN1117MFV,L3F |
NPN 50V 0,1A VESM
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PXFC191507FC-V1-R0 |
Rf Mosfet-Transistoren
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT323
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DTD743ZMT2L |
Trans Prebias NPN 150 MW VMT3
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von |
Fet-RF 110V 220MHZ TO-272-4
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BLP15H9S10XY |
IC-Transistor LDMOS TO270
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Bei der Verwendung von MRFE6S9130HSR5 |
FET RF 66V 880MHZ NI-780S
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J304 |
JFET N-CH 30V 15MA TO92
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BLC9G20LS-240PVY |
Rf FET LDMOS 65V 18DB SOT12753
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MRF7S19210HSR5 |
FET RF 65V 1,99 GHz NI780S
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CGHV37400F |
400W GAN HEMT 50V 3,3-3,7 GHz FET
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GTVA123501FA-V1-R0 |
350 W GAN HEMT 50V 1,2-1,4 GHz FET
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PTFA181001FV4XWSA1 |
IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung von Zertifikaten für die Berechnung von Zertifikaten. |
IC AMP RF LDMOS H-37248-4
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BLF888DSU |
Rf FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
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DTA144EET1G |
Trans Prebias PNP 50V 100MA SC75
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PD85035STR-E |
TRANSPORT-RF N-CH FET POWERSO-10RF
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
Trans Prebias NPN 300 MW TO92-3
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MRF24301HR5 |
MOSFET LDMOS NI780H
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DTC143ZCAT116 |
NPN 100MA 50V digitaler Transistor
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AFT18HW355SR5 |
FET RF 2CH 65V 1,88 GHz NI1230S-4
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NHDTA143ZTR |
NHDTA143ZT/SOT23/TO-236AB
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
Wir haben eine Reihe von Lösungen für die Verringerung der Schadstoffe.
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ARF476FL |
PUL-PR RF FET N CH 500V 10A PSH
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Neurotechnische Verfahren |
FET RF 30V 460MHZ 79A
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ON5421,127 |
MOSFET-RF TO220AB TO220AB
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Einheitliche Datenbank |
Fet-RF 65V 2.17GHZ NI-880
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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
FET RF 65V 1,88 GHz NI-780S
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MRF8S21200HR6 |
Fet-RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H
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Bei der Verwendung von BLF8G27LS-150VJ |
Rf FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
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PDTC124XE,115 |
Trans Prebias NPN 150 MW SC75
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
FET RF 15V 3,55 GHz NI360HF
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NPT2019 |
FET RF 160V 6GHZ 14DFN
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DTA023EUBTL |
Trans Prebias PNP 50V 0,2W UMT3F
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MMBFJ309LT1G |
Wird die Verarbeitung in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt, so ist die Verarbeitung in einem
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PDTA143EU/ZLX |
PDTA143EU/ZLX
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STAC3932B |
Trans-RF PWR N-CH 580W STAC244B
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