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TI integrierte Schaltung
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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DTC143TUBTL |
TRANSPORT PREBIAS NPN 200MW UMT3F
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BLF6G21-10G, 112 |
Rf FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
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BLF6G27LS-75,112 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
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BLA6G1011L-200RG, 1 |
Rf FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
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MRF1535FNT1 |
FET RF 40V 520MHZ TO272-6
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DTA124EU3HZGT106 |
DTA124EU3HZG ist ein digitaler Trans
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PTFA041501GL V1 |
IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2
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CGH09120F |
Rf MOSFET HEMT 28V 440095
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VRF152 |
Mosfet-Rf PWR N-CH 50V 150W M174
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BLM7G1822S-40ABY |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Neutraler Stahl |
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
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BLA1011-2112 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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AFT05MS003NT1 |
IC-TRANSPORT-RF LDMOS
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Trans Prebias NPN 200 MW SOT323
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Die Ausrüstung ist in Form von |
Rf FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
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IGN1011L70 |
GAN, HF-Krafttransistor, L-Band
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STAC3933 |
IC TRANS RF HV/VHF/UHF STAC177B
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
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CGHV35400F |
MOSFET HEMT 45V 440210
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BF 5030 E6327 |
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143
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DRA5143E0L |
Trans Prebias PNP 150 MW SMINI3
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BLF1822-10,112 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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NHDTC114EUX |
NHDTC114EU/SOT323/SC-70
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Einheit für die Überwachung der Luftfahrt |
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
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PDTC143EQC-QZ |
PDTC143EQC-Q/SOT8009/DFN1412D-
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PTF140451E V1 |
IC FET RF LDMOS 45W H-30265
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PDTA124EK,115 |
Trans Prebias PNP 250 MW SMT3
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BLF7G27L-135,112 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.
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DRC2143Y0L |
Trans Prebias NPN 200 MW MINI3
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PTF140451F V1 |
IC FET RF LDMOS 45W H-31265
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RN2111CT(TPL3) |
Trans Prebias PNP 20V 0,05A CST3
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AFM907NT1 |
Wird die Leistung von MOSFET-LDMOS-Systemen mit einer Leistung von 7,5 V 10-DFN erhöht?
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Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I Nummer 2 zu entnehmen. |
Trans Prebias NPN 150 MW SOT523
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NPT35015D |
HEMT N-CH 28V 18W 3300-3800MHZ
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DTA114ECAT116 |
Trans Prebias PNP 200 MW SST3
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BLF8G22LS-140U |
Rf FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
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DTD143ECT216 |
NPN 200MW SST3 von Trans Prebias
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführt. |
FET RF 30V 460MHZ 79A
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MRF1513NT1 |
Fet-RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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CGH35240F |
240 W GAN HEMT 28V 3,1-3,5 GHz FET
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MRF7S27130HSR5 |
FET RF 65V 2,7 GHz NI-780S
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PTF210101M V1 |
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
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Die Bezeichnung DDTD142JU-7 |
Trans Prebias NPN 200 MW SOT323
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MRF9135LR5 |
FET RF 65V 880MHZ NI-780
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J300_D26Z |
JFET N-CH 25V TO92
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ATF-38143-TR1G |
IC PHEMT 1,9 GHz 4,5 V 10 MA SOT343
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DTA115TUAT106 |
Trans Prebias PNP 200 MW UMT3
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BLF574XRS, 112 |
Rf FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B
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Die Daten sind nicht mehr verfügbar. |
Trans Prebias NPN 150 MW SOT523
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DTB113ECT116 |
PNP -500MA/-50V digitaler Transistor
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