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TI integrierte Schaltung

BildTeil #BeschreibungfabricantLagerbestandZulassung
RN1101MFV,L3XHF(CT

RN1101MFV,L3XHF(CT

AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
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GC4701-17

GC4701-17

SI LIMITER Hermetische Mikrostruppe
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DTC115EM3T5G

DTC115EM3T5G

Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
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FJX4014RTF

FJX4014RTF

Trans Prebias PNP 200 MW SOT323
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DTC144TKA-TP

DTC144TKA-TP

Trans Prebias NPN 200 MW SOT23-3L
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PDTD123YS,126

PDTD123YS,126

Trans Prebias NPN 500 MW TO92-3
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PDTA144VM,315

PDTA144VM,315

Trans Prebias PNP 50V DFN1006-3
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UNR511400L

UNR511400L

Trans Prebias PNP 150 MW SMINI3
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HSMS-282P-TR1G

HSMS-282P-TR1G

Rf-DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
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BA979-GS18

BA979-GS18

DIODE PIN 30V SOD80 QUADROMELF
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UM4010SM

UM4010SM

SI PPIN HERMETISCHES MELF
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DRA2113Z0L

DRA2113Z0L

TRANSPORT PREBIAS PNP 200MW MINI3
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HBAT-540B-TR2G

HBAT-540B-TR2G

DIODE SCHOTTKY 30V 825MW SOT323
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UNR515400L

UNR515400L

Trans Prebias PNP 150 MW SMINI3
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HSMS-2828-TR1G

HSMS-2828-TR1G

Rf-DIODE SCHOTTKY 15V SOT143-4
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Trans BRT NPN 100MA 50V SC59
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MSS30-148-E25

MSS30-148-E25

DIODE, SCHOTTKY-BEAMLEAD-PACKAGE,
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DTB543EMT2L

DTB543EMT2L

Trans Prebias PNP 150 MW VMT3
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HSMS-8101-TR2G

HSMS-8101-TR2G

Rf-DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23
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FJN4312RTA

FJN4312RTA

Trans Prebias PNP 300 MW TO92-3
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MA4PK3000-1252

MA4PK3000-1252

DIODE, PIN, CHIP, KERAMISCH, SI, ODS-12
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RN1108 ((T5L,F,T)

RN1108 ((T5L,F,T)

Trans Prebias NPN 50V 0,1A SSM
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BAP70AM,135

BAP70AM,135

Rf-DIODE PIN 50V 300MW 6TSSOP
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DDTA144GCA-7

DDTA144GCA-7

Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
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Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen:

Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen:

Diode, PIN-CHIP, C50
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NSVDTA114EM3T5G

NSVDTA114EM3T5G

Trans PNP 50V BIPOLAR SOT-723
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1SV315-TL-E

1SV315-TL-E

Rf-DIODE PIN 50V 100MW 3MCP
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DTC143EU3T106

DTC143EU3T106

DTC143EU3 ist ein digitaler Transistor
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Die BAT-Basis für die Berechnung der Emissionsemissionen ist die BAT-Basis für die Berechnung der Emissionen.

Die BAT-Basis für die Berechnung der Emissionsemissionen ist die BAT-Basis für die Berechnung der Emissionen.

Wir haben eine Reihe von Anwendungen.
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FJNS3212RBU

FJNS3212RBU

Trans Prebias NPN 300 MW TO92S
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.

Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.

RF-DIODE 2012
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DRA9115G0L

DRA9115G0L

Trans Prebias PNP 125 MW SSMINI3
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MSS20-141-0402

MSS20-141-0402

SCHOTTKY-DIODE, BEAMLEAD, 0402
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ADTC143XUAQ-7

ADTC143XUAQ-7

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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HSMS-270B-TR1G

HSMS-270B-TR1G

DIODE SCHOTTKY 15V 825MW SOT323
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DTA114YCAT116

DTA114YCAT116

PNP -100MA -50V digitaler Transistor
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SMP1345-518

SMP1345-518

Funkdioden PIN 50V 250MW 4MIS
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NSVMUN2233T1G

NSVMUN2233T1G

Trans Prebias NPN 50V SC59-3
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MPL4703-406

MPL4703-406

SI-BEGRENZER NICHT HERMETISCHES MMSM
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UNR221M00L

UNR221M00L

Trans Prebias NPN 200 MW MINI3
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HSMP-3890-TR1

HSMP-3890-TR1

Rf-DIODE PIN 100V SOT23-3
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DDTC144ECAQ-7-F

DDTC144ECAQ-7-F

Vorbehaltlich der Bestimmungen des Artikels 4 Absatz 1 Buchstabe a der Verordnung (EG) Nr. 715/2009
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1N3899

1N3899

DO5 SCHNELLE WIEDERAUFNAHME VON RECTIFI 20 AMPERE
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ADTC124EUAQ-13

ADTC124EUAQ-13

Vorbehaltlich der Bestimmungen des Absatzes 1 kann die Kommission die in Absatz 1 genannten Maßnahme
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HSMP-3860-TR1

HSMP-3860-TR1

Rf-DIODE PIN 50V SOT23-3
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HSMS-2852-TR1G

HSMS-2852-TR1G

Rf-DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3
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MADL-011021-14150T

MADL-011021-14150T

RF-DIODE PIN 6TDFN
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RN1316, LXHF

RN1316, LXHF

AUTO AEC-Q NPN, R1=4.7KO
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BA779-2-HG3-08

BA779-2-HG3-08

Wird der Wärmebetrieb nicht mehr als 30 V ausgeschaltet, wird der Wärmebetrieb nicht mehr als 30 V a
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PDTA143XS,126

PDTA143XS,126

Trans Prebias PNP 500 MW TO92-3
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147 148 149 150 151