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Integrierter Schaltungschip
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu finden. |
Diskrete Halbleitermodule TrenchP-Kanal-Stromversorgungs-MOSFETs
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Vorräte
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MMO74-12io6 |
Diskrete Halbleitermodule 74 Ampere 1200 V
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Vorräte
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Vorrichtungen zu verwenden. |
Diskrete Halbleitermodule 20 Ampere 600 V
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Vorräte
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TD92N12KOF |
Diskrete Halbleitermodule 1200V 160A
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Vorräte
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DD89N16K-A |
Diskrete Halbleitermodule Richterdiodenmodul 1600V 89A
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Vorräte
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DZ540N20K |
Diskrete Halbleitermodule 2000V 1150A
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Vorräte
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MCC220-16io1 |
Diskrete Halbleitermodule 220 Ampere 1600 V
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Vorräte
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DD285N02K |
Diskrete Halbleitermodule 285A mit 200 V Vrm
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Vorräte
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MCC162-16io1 |
Diskrete Halbleitermodule 162 Ampere 1600 V
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Vorräte
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MDD200-14N1 |
Diskrete Halbleitermodule 200 Ampere 1400 V
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Vorräte
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MCC56-14io1B |
Diskrete Halbleitermodule 56 Ampere 1400 V
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Vorräte
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DZ950N36K |
Diskrete Halbleitermodule 3600V 1500A
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Vorräte
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MCD95-08io8B |
Diskrete Halbleitermodule 95 Ampere 800 V
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Vorräte
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TZ600N12KOF |
Diskrete Halbleitermodule 1200V 1050A Einzel
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Vorräte
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MCC44-12io1B |
Diskrete Halbleitermodule 44 Ampere 1200 V
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Vorräte
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MDO500-12N1 |
Diskrete Halbleitermodule 500 Ampere 1200 V
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Vorräte
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Die Ausrüstung ist mit einer Maschine ausgestattet. |
Diskrete Halbleitermodule 20 Ampere 600 V
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Vorräte
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MII75-12A3 |
Diskrete Halbleitermodule 75 Ampere 1200 V
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Vorräte
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MCD220-08io1 |
Diskrete Halbleitermodule 220 Ampere 800 V
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Vorräte
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Die Ausnahme gilt für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
Diskrete Halbleitermodule 1400V 160A DUAL
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Vorräte
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TZ400N26KOF |
Diskrete Halbleitermodule 2600V 1050A Einzel
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Vorräte
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
Diskrete Halbleitermodule 1400V 410A DUAL
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Vorräte
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TZ400N20KOF |
Diskrete Halbleitermodule 2000V 1050A Einzel
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Vorräte
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DZ600N08K |
Diskrete Halbleitermodule 0,8KV 735A
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Vorräte
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Diskrete Halbleitermodule 2200V 800A DUAL
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Vorräte
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MDD172-14N1 |
Diskrete Halbleitermodule 172 Ampere 1400 V
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Vorräte
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MDD26-16N1B |
Diskrete Halbleitermodule 26 Ampere 1600 V
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Vorräte
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ND260N14K |
Diskrete Halbleitermodule 1400V 410A
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Vorräte
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TD500N18KOF |
Diskrete Halbleitermodule 1800V 900A
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Vorräte
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MEO550-02DA |
Diskrete Halbleitermodule FRED Modul 200V 582A 150NS
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Vorräte
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ND241S14K |
Diskrete Halbleitermodule 1400V 410A
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Vorräte
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Bei der Verwendung von Zellstoff ist die Zellstoffdichte zu messen. |
Diskrete Halbleitermodule 100 Ampere 600 V
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Vorräte
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MCD132-16io1 |
Diskrete Halbleitermodule 132 Ampere 1600 V
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Vorräte
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MCD225-18io1 |
Diskrete Halbleitermodule 225 Ampere 1800 V
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Vorräte
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MUBW25-12A7 |
Diskrete Halbleitermodule 25 Ampere 1200 V
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Vorräte
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MDD310-14N1 |
Diskrete Halbleitermodule 310 Ampere 1400 V
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Vorräte
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MWI100-12T8T |
Diskrete Halbleitermodule 100 Ampere 1200 V
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Vorräte
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 75A FL-CNTL
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Vorräte
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MCC312-12io1 |
Diskrete Halbleitermodule 312 Ampere 1200 V
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Vorräte
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ND104N16K |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 160A
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Vorräte
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MCD56-14io1B |
Diskrete Halbleitermodule 56 Ampere 1400 V
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Vorräte
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MEE300-06DA |
Diskrete Halbleitermodule 300 Ampere 600 V
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Vorräte
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Diskrete Halbleitermodule 2200V 700A DUAL
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Vorräte
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MII300-12A4 |
Diskrete Halbleitermodule IGBT-Module 1200V,300A
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Vorräte
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
Diskrete Halbleitermodule 1400V 800A DUAL
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Vorräte
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MCD72-14io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1400 V
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Vorräte
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die Produktion von |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 900A DUAL
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Vorräte
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MCC56-18io8B |
Diskrete Halbleitermodule 56 Ampere 1800 V
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Vorräte
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MDD142-18N1 |
Diskrete Halbleitermodule 142 Ampere 1800 V
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Vorräte
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MCD310-12io1 |
Diskrete Halbleitermodule 310 Ampere 1200 V
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Vorräte
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