Die Ausrüstung ist in Form von
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
430 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schlauch
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP6
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.8V @ 15V, 300A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP6
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
350 µA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
1150 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
24 nF @ 25 V
Ausstattung:
Doppel, gemeinsame Quelle
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
APTGT300
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Dual, gemeinsame Quelle 600 V 430 A 1150 W Chassis Mount SP6
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: