MG25P12E1
Beschreibung:
Transistoren - IGBTs - Module E1
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
25 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 25A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
-
Mfr:
Yangjie Technologie
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1 mA
IGBT-Typ:
-
Leistung - Max.:
20 mW
Eingabe:
Dreiphasenbrückengleichrichter
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
1.45 nF @ 25 V
Ausstattung:
Dreiphasenumrichter
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Einführung
IGBT-Modul Dreiphasenumrichter 1200 V 25 A 20 mW Fahrgestell
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: