F475R12KS4BOSA1
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 A
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.75V @ 15V, 75A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 125 °C
Strom - Sammlergrenze (maximal):
5 MA
IGBT-Typ:
-
Leistung - Max.:
500 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
5.1 nF @ 25 V
Ausstattung:
Dreiphasenumrichter
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
F475R12
Einführung
IGBT-Modul Dreiphasen-Wechselrichter 1200 V 100 A 500 W Fahrgestellmontage
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: