APT35GT120JU2
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
55 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
ISOTOP
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 35A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-227
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
5 MA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
260 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
2.53 nF @ 25 V
Ausstattung:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
APT35GT120
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeldstoppe Einzel 1200 V 55 A 260 W Fahrgestellmontage SOT-227
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: