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Beschreibung:
IGBT-Module 600V 80A 176W SP1
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
80 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
sp1
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 50A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
sp1
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
250 μA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
176 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
3.15 nF @ 25 V
Ausstattung:
Dreistufiger Wechselrichter
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
APTGT50
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeld-Stopp Drei-Ebenen-Wechselrichter 600 V 80 A 176 W Fahrgestellmontage SP1
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: