Die Ausrüstung wird von der Anlage ausgerichtet.
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
280 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP6
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 200A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP6
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
350 µA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
890 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
APTGT200
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeld-Stopp Halbbrücke 1200 V 280 A 890 W Fahrgestellmontage SP6
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: