CM75DU-12F
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
75 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
IGBTMODTM
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 75A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Powerex Inc.
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1 mA
IGBT-Typ:
Graben
Leistung - Max.:
290 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
20 nF @ 10 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Einführung
IGBT-Modul Gräbenhalbbrücke 600 V 75 A 290 W Fahrgestellmontage-Modul
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: