NXH100B120H3Q0STG
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 50A 186W PIM22
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
50 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheitliche Datenbank für die Bereitstellung von Daten
Mfr:
Ein- und zweimal
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
200 µA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
186 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
9.075 nF @ 20 V
Ausstattung:
2 Unabhängig
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
NXH100
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeldstopp 2 Unabhängige 1200 V 50 A 186 W Fahrgestellmontage 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: