Die Ausrüstung ist in Form von einem Füllkörper.
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
420 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul D-3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 300A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
D3
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
5 MA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
1500 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
18.6 nF @ 25 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
Ausrüstung für die Beförderung von Fahrzeugen
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 1200 V 420 A 1500 W Fahrgestellmontage D3
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: