Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
140 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP6
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 100A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP6-P
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
250 μA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
517 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
6.2 nF @ 25 V
Ausstattung:
Phase drei
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
Die Ausnahme gilt für die folgenden Kategorien:
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeld-Stopp Drei-Phase 1200 V 140 A 517 W Fahrgestellmontage SP6-P
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: