MG1250S-BA1MM
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
80 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul S-3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.8V @ 15V, 50A (Typ)
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
S3
Mfr:
Littelfuse Inc.
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
µA 500
IGBT-Typ:
-
Leistung - Max.:
500 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
4.29 nF @ 25 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Einführung
IGBT-Modul Halbbrücke 1200 V 80 A 500 W Fahrgestell S3
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: