Die Ausrüstung wird von der Abteilung für Luftfahrt, Luftfahrt und Raumfahrt der Kommission erstellt.
Beschreibung:
IGBT-Module 650V 200A 350W SP1
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
200 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
sp1
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 100A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
650 V
Lieferanten-Gerätepaket:
sp1
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100 μA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
350 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
6 nF @ 25 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
APTGLQ100
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 650 V 200 A 350 W Durch Loch SP1
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: