DF80R12W2H3FB11BPSA1
Beschreibung:
IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
20 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
EconoPACKTM 2
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.7V @ 15V, 20A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1 mA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
20 mW
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
2.35 nF @ 25 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
DF80R12
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeld-Stopp Halbbrücke 1200 V 20 A 20 mW Fahrgestellmontage Modul
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: