Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
350 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP6
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 200A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP6
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100 μA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
1000 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
12.3 nF @ 25 V
Ausstattung:
Vollbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
APTGLQ200
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeldstoppe Vollbrücke 1200 V 350 A 1000 W Fahrgestellmontage SP6
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: