MG75U12MRGJ
Beschreibung:
Transistoren - IGBTs - Module GJ
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SOT-227-4
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 75A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-227
Mfr:
Yangjie Technologie
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100 μA
IGBT-Typ:
-
Leistung - Max.:
420 Watt
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
5.5 nF @ 25 V
Ausstattung:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
- Nein.
Einführung
IGBT-Modul Einzel 1200 V 100 A 420 W Fahrgestell SOT-227
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: