Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
Beschreibung:
PM-IGBT-TFS-SBD~-SP1F
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
80 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schlauch
Reihe:
MSC
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
650 V
Lieferanten-Gerätepaket:
sp1
Mfr:
Mikrochiptechnik
Strom - Sammlergrenze (maximal):
80 A
IGBT-Typ:
Graben
Packung / Gehäuse:
Modul
Eingabe:
Standards
Betriebstemperatur:
-
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
MSCGTQ100
Einführung
IGBT-Module Graben-Halbbrücke 650 V 80 A Fahrgestell SP1
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: