Die Ausrüstung wird von der Abteilung für Luftfahrt, Luftfahrt und Raumfahrt der Kommission erstellt.
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 150A 520W D1
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
150 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
D1
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 100A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
D1
Mfr:
Die Mikrosemi Corporation
Betriebstemperatur:
-
Strom - Sammlergrenze (maximal):
3 mA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
520 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
7 nF @ 25 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 1200 V 150 A 520 W Fahrgestellmontage D1
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: