Die in Absatz 1 genannte Bestimmung gilt nicht.
Spezifikationen
				
						Kategorie:
						
																				Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
					
						Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
						
																				500 MA
					
						Produktstatus:
						
																				Veraltet
					
						Transistortyp:
						
																				NPN - Vor-voreingenommen
					
						Frequenz - Übergang:
						
																				200 MHz
					
						Typ der Montage:
						
																				Oberflächenbefestigung
					
						Paket:
						
																				Band und Rolle (TR)
					
						Reihe:
						
																				-
					
						Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
						
																				300mV @ 2.5mA, 50mA
					
						Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
						
																				50 V
					
						Lieferanten-Gerätepaket:
						
																				SOT-323
					
						Widerstand - Basis (R1):
						
																				4,7 kOhm
					
						Mfr:
						
																				Dioden eingebunden
					
						Widerstand - Emitter-Basis (R2):
						
																				4,7 kOhm
					
						Strom - Sammlergrenze (maximal):
						
																				500nA
					
						Leistung - Max.:
						
																				200 mW
					
						Packung / Gehäuse:
						
																				SC-70, SOT-323
					
						Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
						
																				47 @ 50mA, 5V
					
						Basisproduktnummer:
						
														DDTD143
					Einführung
				
						Bipolartransistor (BJT) NPN - Bipolartransistor 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenaufbau SOT-323
					                            
                      					
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							MOQ:
							
							            							    							        							    							        							    							        							    														
						
					

 
        