Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
Beschreibung:
Vorbehaltlich der Bestimmungen des Artikels 4 Absatz 1 Buchstabe a der Verordnung (EG) Nr. 715/2009
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Automobil, AEC-Q101
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Dioden eingebunden
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
2,2 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
200 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
20 @ 20mA, 5V
Basisproduktnummer:
DDTC123
Einführung
Vorgespannter Bipolartransistor (BJT) NPN – vorgespannt 50 V, 100 mA, 250 MHz, 200 mW, Oberflächenmontage SOT-23-3
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: