Für die Verwendung in Kraftfahrzeugen
Spezifikationen
				
						Kategorie:
						
																				Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
					
						Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
						
																				100 MA
					
						Produktstatus:
						
																				Veraltet
					
						Transistortyp:
						
																				NPN - Vor-voreingenommen
					
						Typ der Montage:
						
																				Oberflächenbefestigung
					
						Paket:
						
																				Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
					
						Reihe:
						
																				-
					
						Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
						
																				250 mV @ 5mA, 10mA
					
						Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
						
																				50 V
					
						Lieferanten-Gerätepaket:
						
																				SC-70-3 (SOT323)
					
						Widerstand - Basis (R1):
						
																				2,2 kOhms
					
						Mfr:
						
																				Ein- und zweimal
					
						Widerstand - Emitter-Basis (R2):
						
																				2,2 kOhms
					
						Strom - Sammlergrenze (maximal):
						
																				500nA
					
						Leistung - Max.:
						
																				202 mW
					
						Packung / Gehäuse:
						
																				SC-70, SOT-323
					
						Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
						
																				8 @ 5mA, 10V
					
						Basisproduktnummer:
						
														mit einer Breite von mehr als 20 mm
					Einführung
				
						Bipolartransistor (BJT) NPN - 50 V 100 mA 202 mW vorgebildet
					                            
                      					
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