PDTB143XUF
Spezifikationen
				
						Kategorie:
						
																				Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
					
						Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
						
																				500 MA
					
						Produktstatus:
						
																				Aktiv
					
						Transistortyp:
						
																				NPN - Vor-voreingenommen
					
						Frequenz - Übergang:
						
																				140 MHZ
					
						Typ der Montage:
						
																				Oberflächenbefestigung
					
						Paket:
						
																				Band und Rolle (TR)
					
						Reihe:
						
																				Automobilindustrie, AEC-Q100
					
						Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
						
																				100 mV @ 2,5 mA, 50 mA
					
						Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
						
																				50 V
					
						Lieferanten-Gerätepaket:
						
																				SOT-323
					
						Widerstand - Basis (R1):
						
																				4,7 kOhm
					
						Mfr:
						
																				Nexperia USA Inc.
					
						Widerstand - Emitter-Basis (R2):
						
																				10 kOhms
					
						Strom - Sammlergrenze (maximal):
						
																				500nA
					
						Leistung - Max.:
						
																				300mW
					
						Packung / Gehäuse:
						
																				SC-70, SOT-323
					
						Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
						
																				70 @ 50mA, 5V
					
						Basisproduktnummer:
						
														PDTB143
					Einführung
				
						Bipolartransistor (BJT) NPN - Bipolartransistor 50 V 500 mA 140 MHz 300 mW Oberflächenhalter SOT-323
					                            
                      					
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