PDTC115ES,126
Beschreibung:
Trans Prebias NPN 500 MW TO92-3
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
20 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band & Box (TB)
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
150mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92-3
Widerstand - Basis (R1):
100 kOhms
Mfr:
NXP USA Inc.
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
100 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1µA
Leistung - Max.:
500 mW
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) bildete Führungen
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
80 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTC115
Einführung
Bipolartransistor (BJT) NPN - 50 V 20 mA 500 mW durch das Loch TO-92-3
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: