RN1313, LF
Beschreibung:
PB-F Bias-Widerstand eingebaut
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
Automobil, AEC-Q101
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Usm
Widerstand - Basis (R1):
47 kOhms
Mfr:
Toshiba-Halbleiter und -speicher
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA (ICBO)
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
120 @ 1mA, 5V
Basisproduktnummer:
RN1313
Einführung
Bipolartransistor (BJT) NPN - Bipolartransistor 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Oberflächenmontage USM
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: