DTC123JSATP
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band & Box (TB)
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SPT
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
300mW
Packung / Gehäuse:
SC-72 Formierte Bleiflächen
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTC123
Einführung
Bipolartransistor (BJT) NPN - 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW durch Loch
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: