UP0KG8D00L
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
80 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Frequenz - Übergang:
80 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
250mV @ 300μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Überwachung der Sicherheit von Fahrzeugen
Widerstand - Basis (R1):
47 kOhms
Mfr:
Elektronische Bauelemente Panasonics
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
125 mW
Packung / Gehäuse:
SOT-665
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
Aufbereitungs- und Ausrüstungsanlagen
Einführung
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 80 MHz 125 mW Surface Mount SSMini5-F2
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: