PTFA241301F V1
Beschreibung:
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
65 V
Paket:
Tray
Reihe:
GOLDMOS®
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
H-31260-2
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Häufigkeit:
2.42 GHz
Gewinn:
14 dB
Packung / Gehäuse:
2-Flachbeutel, Flossenleiter, Flanken
Gegenwärtig - Test:
A 1,15
Leistung - Leistung:
130W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
10µA
Einführung
RF Mosfet 28 V 1,15 A 2,42 GHz 14 dB 130W H-31260-2
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: