Die Ausrüstung ist in der Fassung der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 zu erstellen.
Beschreibung:
IC-TRANSPORT-RF LDMOS
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Nennspannung:
112 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Ausstattung:
Doppel
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
NI-1230-4H
Spannung - Test:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
960 MHz ~ 1,22 GHz
Gewinn:
190,6 dB
Packung / Gehäuse:
SOT-979A
Gegenwärtig - Test:
100 MA
Leistung - Leistung:
1000 W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
AFV121
Einführung
HF-Mosfet 50 V 100 mA 960 MHz ~ 1,22 GHz 19,6 dB 1000 W NI-1230-4H
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: