UNR921BG0L
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Frequenz - Übergang:
150 MHZ
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
250mV @ 300μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Daten sind in der Tabelle 3 aufgeführt.
Widerstand - Basis (R1):
100 kOhms
Mfr:
Elektronische Bauelemente Panasonics
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
125 mW
Packung / Gehäuse:
SC-89, SOT-490
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
160 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
UNR921
Einführung
Bipolartransistor (BJT) NPN - 50 V 100 mA 150 MHz 125 mW mit vorgebildetem Bias
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: