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Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SC-59-3
Widerstand - Basis (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Dioden eingebunden
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
200 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
30 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
DDTC143
Einführung
Bipolartransistor (BJT) NPN - 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW vorgebildeter Bipolartransistor
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: