DTA114ECAHZGT116
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
Automobil, AEC-Q101
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Lieferanten-Gerätepaket:
SST3
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
-
Leistung - Max.:
350 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTA114
Einführung
Bipolartransistor (BJT) PNP - vorgebildeter 100 mA 250 MHz 350 mW Oberflächenhalter SST3
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: