UNR9111G0L
Beschreibung:
Trans Prebias PNP 125 MW SSMINI3
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Frequenz - Übergang:
80 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
250mV @ 300μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Daten sind in der Tabelle 3 aufgeführt.
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Elektronische Bauelemente Panasonics
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
125 mW
Packung / Gehäuse:
SC-89, SOT-490
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
UNR9111
Einführung
Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 100 mA 80 MHz 125 mW mit vorgebildeter Oberflächenaufstellung SSMini3-F3
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: