NHDTC123JTR
Beschreibung:
NHDTC123JT/SOT23/TO-236AB
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Frequenz - Übergang:
170 MHZ
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
Automobil, AEC-Q101
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
100mV @ 500μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
80 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-236AB
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA
Leistung - Max.:
250mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
100 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
NHDTC123
Einführung
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 80 V 100 mA 170 MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: