A2G35S160-01SR3
Beschreibung:
AIRFAST RF POWER GAN-TRANZISTOR
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
125 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
NI-400S-2S
Spannung - Test:
48 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
3.4 GHz ~ 3.6 GHz
Gewinn:
150,7 dB
Packung / Gehäuse:
NI-400S-2S
Gegenwärtig - Test:
190 MA
Leistung - Leistung:
51dBm
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
A2G35
Einführung
RF Mosfet 48 V 190 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 15.7dB 51dBm NI-400S-2S
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: