Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
Beschreibung:
FET RF 8V 1,9 GHz 79A
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Nennspannung:
8 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
79A
Spannung - Test:
3,5 V
Mfr:
CEL
Häufigkeit:
10,9 GHz
Gewinn:
12 dB
Packung / Gehäuse:
4-SMD, flache Leitungen
Gegenwärtig - Test:
50 MA
Leistung - Leistung:
27dBm
Technologie:
GaAs HJ-FET
Leistungsbewertung (Ampere):
1A
Einführung
RF Mosfet 3,5 V 50 mA 1,9 GHz 12 dB 27 dBm 79A
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: