Neutronische Antriebe
Beschreibung:
HJ-FET NCH 13.5DB S02
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Nennspannung:
4 V
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Geräuschwerte:
0.35dB
Lieferanten-Gerätepaket:
S02
Spannung - Test:
2 V
Mfr:
CEL
Häufigkeit:
12 GHz
Gewinn:
13.5dB
Packung / Gehäuse:
4-SMD, flache Leitungen
Gegenwärtig - Test:
10 MA
Leistung - Leistung:
-
Technologie:
GaAs HJ-FET
Leistungsbewertung (Ampere):
70 mA
Basisproduktnummer:
NE3512
Einführung
Funkfrequenz Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 13,5 dB S02
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: