Die Ausrüstung ist mit einer Maschine ausgestattet.
Beschreibung:
FET RF 3V 12GHZ 77-SMD
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Nennspannung:
3 V
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Geräuschwerte:
0.5 dB
Lieferanten-Gerätepaket:
77
Spannung - Test:
1,5 V
Mfr:
Broadcom begrenzt
Häufigkeit:
12 GHz
Gewinn:
12 dB
Packung / Gehäuse:
4-SMD (77 Packungen)
Gegenwärtig - Test:
10 MA
Leistung - Leistung:
5 dBm
Technologie:
pHEMT FET
Leistungsbewertung (Ampere):
45 mA
Einführung
RF Mosfet 1,5 V 10 mA 12 GHz 12 dBm 5 dBm 77
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: