DTC044TMT2L
Beschreibung:
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
60 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
DTC044T
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
150mV @ 500μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
VMT3
Widerstand - Basis (R1):
47 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA (ICBO)
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
SOT-723
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
100 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
DTC044
Einführung
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 60 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: