Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.
Beschreibung:
Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
500 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
PDTD123Y
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-236AB
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
250mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTD123
Einführung
Bipolartransistor (BJT) NPN - vorgebildeter 50 V 500 mA 250 mW Oberflächenhalter TO-236AB
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: