PTFA092211ELV4R250XTMA1
Beschreibung:
FET RF LDMOS 220W H33288-3
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Nennspannung:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
H-33288-2
Spannung - Test:
30 V
Mfr:
Infineon Technologies
Häufigkeit:
940 MHz
Gewinn:
18dB
Packung / Gehäuse:
H-33288-2
Gegenwärtig - Test:
A 1,75
Leistung - Leistung:
220W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Einführung
RF Mosfet 30 V 1.75 A 940MHz 18dB 220W H-33288-2
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: