Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
Beschreibung:
FET RF LDMOS 60W H36265-2
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
65 V
Paket:
Tray
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
H-36265-2
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Häufigkeit:
760 MHz
Gewinn:
19.5 dB
Packung / Gehäuse:
H-36265-2
Gegenwärtig - Test:
600 MA
Leistung - Leistung:
60 W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Einführung
RF Mosfet 28 V 600 mA 760MHz 19,5 dB 60W H-36265-2
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: