NSB9435T1
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
3 A
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Frequenz - Übergang:
110 MHz
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
210mV @ 20mA, 800mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
30 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223 (TO-261)
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Ein- und zweimal
Strom - Sammlergrenze (maximal):
-
Leistung - Max.:
3 W
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
125 @ 800mA, 1V
Basisproduktnummer:
NSB9435
Einführung
Bipolartransistor (BJT) PNP - vorgebildeter 30 V 3 A 110 MHz 3 W Oberflächenhalter SOT-223 (TO-261)
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: