Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des Europäischen Parlaments und des Rates [3] erfasst.
![Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des Europäischen Parlaments und des Rates [3] erfasst.](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Beschreibung:
FET RF 65V 2,17 GHz NI780HS
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Nennspannung:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Ausstattung:
N-Kanal
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
NI-780H-2L
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
2.17GHz
Gewinn:
18.3 dB
Packung / Gehäuse:
SOT-957A
Gegenwärtig - Test:
700 MA
Leistung - Leistung:
24W
Technologie:
MOSFET
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
MRF8
Einführung
RF Mosfet 28 V 700 mA 2,17 GHz 18,3 dB 24W NI-780H-2L
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: