Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Beschreibung:
FET RF 65V 2,17 GHz NI-780
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Nennspannung:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
NI-780H-2L
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
2.16 GHz ~ 2.17 GHz
Gewinn:
13.5dB
Packung / Gehäuse:
SOT-957A
Gegenwärtig - Test:
1.05 A
Leistung - Leistung:
23W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
MRF5
Einführung
RF Mosfet 28 V 1,05 A 2,16 GHz ~ 2,17 GHz 13,5 dB 23W NI-780H-2L
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: