3SK293 ((TE85L,F)
Beschreibung:
FET RF 12,5V 800MHZ USQ
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
12.5 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Ausstattung:
N-Kanal-Doppeltor
Reihe:
-
Geräuschwerte:
2.5 dB
Lieferanten-Gerätepaket:
USQ
Spannung - Test:
6 V
Mfr:
Toshiba-Halbleiter und -speicher
Häufigkeit:
800 MHz
Gewinn:
22dB
Packung / Gehäuse:
SC-82A, SOT-343
Gegenwärtig - Test:
10 MA
Leistung - Leistung:
-
Technologie:
MOSFET
Leistungsbewertung (Ampere):
30 mA
Basisproduktnummer:
3SK293
Einführung
Funkfrequenz Mosfet 6 V 10 mA 800MHz 22 dB USQ
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: